5月23日，据《科创板日报》讯，由于碳化硅芯片需求持续增加，近期计划通过收购美国芯片制造商TSI半导体。博世表示，未来几年內，公司计划在TSI位于美国加利福尼亚州罗斯维尔的工厂投资超过15亿美元，并将TSI半导体制造设施改造为最先进的工艺。同时，博世还将在2030年底之前大幅扩展其全球碳化硅芯片产品系列。两家公司已达成协议，不披露交易的任何财务细节，交易尚待监管部门批准。(财联社)