4月1日，赛微电子(300456-CN)公告，公司与青州市人民政府签署《合作协议》，共同推进6-8英寸GaN芯片晶圆制造项目的建设，进一步完善GaN业务的全产业链IDM（垂直整合制造）布局。公司拟在青州经济开发区发起投资10亿元分期建设聚能国际6-8英寸硅基氮化镓功率器件半导体制造项目，总占地面积30亩。一期建成投产后将形成6-8英寸GaN芯片晶圆5000片/月的生产能力，二期建成投产后将形成6-8英寸GaN芯片晶圆12000片/月的生产能力。