4月7日，据《科创板日报》讯，随着全球需求复苏，韩国内存芯片制造商三星电子和SK海力士今年第二季度加大DRAM晶圆投入，有效结束减产。Omdia表示，三星电子已将今年第二季度的平均每月DRAM晶圆投入量调升至60万片，环比增长13%；预计下半年将DRAM晶圆投入量增加至66万片，DRAM产量恢复到削减前的水平。SK海力士将把每月平均DRAM晶圆投入量从第一季度的39万片增加到第二季度的41万片；下半年预计该公司的DRAM晶圆投入量将增加至45万片。
2月23日，上周半导体销售额持平，但比去年同比增长17%。DRAM IC上周13周移动平均线（MA）较去年同期飙升79%。TechInsights预测，到2024年，DRAM IC销售额将增长46%，达到780亿美元。在手机和笔记本电脑的推动下，电子产品零售价格上周继续走高。(财联社)
9月4日，《科创板日报》讯，据Business Korea近日报道，最新DRAM规格DDR5开始出现价格反弹。市场研究公司DRAM Exchange统计，最新的DRAM规格DDR5.16Gb(2Gx8)固定成交价平均为3.40美元，较上月3.17美元的价格上涨7.26%。据分析，由于供应商在价格谈判中态度强硬，需求方企业也接受了小幅提价。
5月31日，据《科创板日报》讯，TrendForce最新公布数据显示，DRAM市场中，DDR5芯片现货价格重回跌势，再次震荡下行，DDR4、DDR3产品现货价格继续下跌。现货市场整体还未出现价格反弹的跡象。近期部分买家开始寻求小批量订单的报价，但这种需求并没有产生足够的动力来扩大整体成交量。目前多数贸易商普遍认为现货价格已接近底部，但由于需求前景不乐观，仍处于被动备货状态。主流芯片(DDR4 1Gx8 2666MT/s)现货均价本周为1.528美元，较上周下跌0.97%。
10月12日，集邦咨询表示，在买卖双方心理博弈之际，后续供给方的扩产策略，与需求端的成长力道将成为影响2022年DRAM产业走势最关键的因素。照目前进度看来，2022年三大DRAM原厂的扩厂规划其实仍显保守，预估明年的供给位元成长率约17.9%，然而由于目前买方库存水位已偏高，加上2022年需求位元成长率仅16.3%，低于供给端的成长速度，2022年DRAM产业将由供不应求转至供过于求。(财联社)
8月20日，研究机构的数据显示，在DRAM和闪存价格上涨的推动下，三星电子半导体产品的销售额在二季度超过了200亿美元，环比大增19%。时隔近3年再次成为全球最大的半导体厂商。英特尔二季度在半导体方面的营收为193.04亿美元，同比增长3%。(财联社)
8月11日，TrendForce集邦咨询调查显示，整体而言，需求端的采购态度较今年上半年已经明显转变，随着服务器与PC等诸多应用需求逐渐走弱，整体DRAM市场将逐渐进入供过于求的态势。由于DRAM产业属寡占格局，目前供应商仍有相当程度的议价能力，预期第三季server DRAM报价仍能较上一季度上扬5~10%。(财联社)
全球市场研究机构TrendForce集邦咨询调查，近期graphics DRAM在合约与现货市场走势差距甚大，合约市场货况仍相当短缺，不仅报价持续看涨，部分中小型客户的订单满足率也仅约三成，预期此供需紧张的态势将延续至第三季，并再度拉涨graphics DRAM合约价8~13%。
《科创板日报》6月8日讯，市场研究机构TrendForce集邦咨询发布最新报告称，受各终端买方于今年上半年积极备库存的带动，使得存储器原厂库存偏低，DRAM原厂平均库存仅3~4周；NAND Flash供应商平均库存则为4~5周。面对第三季服务器客户欲加强采购力道，原厂针对各类存储器产品报价并无降价求售的必要性，故TrendForce集邦咨询预估，第三季整体DRAM价格将续涨约3~8%；NAND Flash则受enterprise SSD及wafer需求攀升，整体价格季涨幅将由原先的3~8%，上调至5~10%。
《科创板日报》4月7日讯，据韩媒报道，SK海力士利川M16工厂5楼设备进行检查期间，发生毒性物质氢氟酸泄漏事故，3名工人受伤。M16工厂是此前竣工的DRAM生产工厂。对此，SK海力士相关人士对《科创板日报》记者回应道，泄露事故于泄露当日已处理妥善，只是少量泄露，三位工作人员接触时间很短只是轻伤，对生产经营状况没有影响。
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